Физико-химические основы и разработка технологии жидкофазной эпитаксии кремния для производства мощных высоковольтных транзисторов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т стали и сплавов
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кожитов, Л. В. |
| Опубликовано: | М. , 1986 |
| Физические характеристики: |
53 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr12284780000 | ||
| 005 | 20220414120255.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070213d1986 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Физико-химические основы и разработка технологии жидкофазной эпитаксии кремния для производства мощных высоковольтных транзисторов $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук $e (05.27.06) $f Моск. ин-т стали и сплавов |
| 210 | # | # | $a М. $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 53 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 49-53 (35 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.06 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Кожитов $b Л. В. $g Лев Васильевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070213 $g psbo |