К теории глубоких примесных центров в полупроводниках: (01.04.02): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. Донецкий физ.-техн. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ246012,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Коган, Л. С.
Опубликовано: Донецк , 1974
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr12255790000
005 20070213141932.0
021 # # $a RU  $b [74-19648а] 
100 # # $a 20070213d1974 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a К теории глубоких примесных центров в полупроводниках  $e (01.04.02)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР. Донецкий физ.-техн. ин-т 
210 # # $a Донецк  $d 1974 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a Список лит.: с. 16-17 (21 назв.) 
686 # # $a 01.04.02  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Коган  $b Л. С.  $g Леонид Семенович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070213  $g psbo