Компенсация электронных состояний в бинарных полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук / Латв. гос. ун-т им. П. Стучки
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Клотыньш, Э. Э. |
| Опубликовано: | Рига , 1989 |
| Физические характеристики: |
39 с. : схем.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||