Компенсация электронных состояний в бинарных полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук / Латв. гос. ун-т им. П. Стучки
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Клотыньш, Э. Э. |
| Опубликовано: | Рига , 1989 |
| Физические характеристики: |
39 с. : схем.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr12108810000 | ||
| 005 | 20070208164140.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [89-17627а] |
| 100 | # | # | $a 20070208d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LV |
| 200 | 1 | # | $a Компенсация электронных состояний в бинарных полупроводниках $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $f Латв. гос. ун-т им. П. Стучки |
| 210 | # | # | $a Рига $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 39 с. $c схем. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 34-39 (65 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Клотыньш $b Э. Э. $g Эмилс Элмарович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070208 $g psbo |