Компенсация электронных состояний в бинарных полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук / Латв. гос. ун-т им. П. Стучки

Сохранено в:
Шифр документа: 103158/89,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Клотыньш, Э. Э.
Опубликовано: Рига , 1989
Физические характеристики: 39 с. : схем.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr12108810000
005 20070208164140.0
021 # # $a RU  $b [89-17627а] 
100 # # $a 20070208d1989 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a LV 
200 1 # $a Компенсация электронных состояний в бинарных полупроводниках  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук  $f Латв. гос. ун-т им. П. Стучки 
210 # # $a Рига  $d 1989 
215 # # $a 39 с.  $c схем. 
300 # # $a Библиогр.: с. 34-39 (65 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Клотыньш  $b Э. Э.  $g Эмилс Элмарович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070208  $g psbo