Получение тонких слоев антимонида галлия методом направленной кристаллизации расплава и исследование их структурных, электрофизических и тензометрических свойств: (17.16): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук / Львов. политехн. ин-т. К-709
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Климпель, Р. |
| Опубликовано: | Львов , 1972 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr12097360000 | ||
| 005 | 20070208164041.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [72-25841а] |
| 100 | # | # | $a 20070208d1972 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Получение тонких слоев антимонида галлия методом направленной кристаллизации расплава и исследование их структурных, электрофизических и тензометрических свойств $e (17.16) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. техн. наук $f Львов. политехн. ин-т. К-709 |
| 210 | # | # | $a Львов $d 1972 |
| 215 | # | # | $a 14 с. |
| 686 | # | # | $a 17.16 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Климпель $b Р. $g Рольф |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070208 $g psbo |