
Образование р-п переходов в полупроводниках излучением лазера: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Кияк, С. Г. |
Опубликовано: | Черновцы , 1978 |
Физические характеристики: |
16 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr12023990000 | ||
005 | 20070207135147.0 | ||
100 | # | # | $a 20070207d1978 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Образование р-п переходов в полупроводниках излучением лазера $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
210 | # | # | $a Черновцы $d 1978 |
215 | # | # | $a 16 с. |
300 | # | # | $a Для служеб. пользования. В надзаг.: Черновицк. гос. ун-т. Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Кияк $b С. Г. $g Степан Григорьевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070207 $g psbo |