Образование р-п переходов в полупроводниках излучением лазера: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ333385СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Кияк, С. Г.
Опубликовано: Черновцы , 1978
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr12023990000
005 20070207135147.0
100 # # $a 20070207d1978 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Образование р-п переходов в полупроводниках излучением лазера  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Черновцы  $d 1978 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Для служеб. пользования. В надзаг.: Черновицк. гос. ун-т. Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Кияк  $b С. Г.  $g Степан Григорьевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070207  $g psbo