Технология и параметры оптоэлектронных приборов на базе кубического SiC: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18) / Киев. политехн. ин-т им. 50-летия Великой Окт. соц. революции
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Киселев, В. С. |
| Опубликовано: | Киев , 1983 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||