Исследование уширения глубоких уровней в полупроводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ким Ха Ен |
| Опубликовано: | Л. , 1991 |
| Физические характеристики: |
13 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||