Перенос рекомбинационного излучения и фотонный перенос неравновесных носителей заряда в варизонных полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе, АН ТССР, Физ.-техн. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: 51854/86,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Керими, М. Б.
Опубликовано: Ашхабад , 1986
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr11858090000
005 20070206181824.0
021 # # $a RU  $b [87-4370а] 
100 # # $a 20070206d1986 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a TM 
200 1 # $a Перенос рекомбинационного излучения и фотонный перенос неравновесных носителей заряда в варизонных полупроводниках  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе, АН ТССР, Физ.-техн. ин-т 
210 # # $a Ашхабад  $d 1986 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 20-21 (15 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Керими  $b М. Б.  $g Мухамед Бегенчевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070206  $g psbo