Перестройка электронной структуры узкозонных полупроводников в области переход дов под давлением (n-InSb·Bi₂Te₃): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Каширская, Л. М. |
| Опубликовано: | М. , 1983 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11790700000 | ||
| 005 | 20070202153913.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070202d1983 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Перестройка электронной структуры узкозонных полупроводников в области переход дов под давлением (n-InSb·Bi₂Te₃) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ. фак. Библиогр.: с. 16 (5 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Каширская $b Л. М. $g Людмила Михайловна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070202 $g psbo |