Исследование и разработка процессов селективной газофазной эпитаксии арсенида-фосфида галлия-индия при формировании оптоэлектронных микроструктур на основе арсенида галлия и кремния: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Кацапов, Ф. М. |
| Опубликовано: | Мн. , 1985 |
| Физические характеристики: |
27 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11765250000 | ||
| 005 | 20070202153706.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070202d1985 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a BY |
| 200 | 1 | # | $a Исследование и разработка процессов селективной газофазной эпитаксии арсенида-фосфида галлия-индия при формировании оптоэлектронных микроструктур на основе арсенида галлия и кремния $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.27.06) |
| 210 | # | # | $a Мн. $d 1985 |
| 215 | # | # | $a 27 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН БССР, Ин-т электроники. АН Библиогр.: с. 25-27. Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.06 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Кацапов $b Ф. М. $g Федор Михайлович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070202 $g psbo |