Многослойные неоднородные полупроводниковые структуры с электронно-дырочными переходами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Караян, Г. С. |
| Опубликовано: | М. , 1986 |
| Физические характеристики: |
28 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11584170000 | ||
| 005 | 20070130175542.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070130d1986 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Многослойные неоднородные полупроводниковые структуры с электронно-дырочными переходами $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Моск. ин-т электрон. техники |
| 210 | # | # | $a М. $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 28 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 23-28 (40; 12 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Караян $b Г. С. $g Гамлет Суренович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070130 $g psbo |