Влияние глубоких примесных уровней на некоторые свойства электронно-дырочных переходов в полупроводниках: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Ташк. гос. ун-т им. В. И. Ленина

Сохранено в:
Шифр документа: АУ129160СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Карагеоргий-Алкалаев, П. М.
Опубликовано: Ташкент , 1962
Физические характеристики: 17 с. ; 21 см
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr11547700000
005 20070129142847.0
010 # # $d Б. ц. 
021 # # $a RU  $b [62-88865] 
100 # # $a 20070129d1962 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UZ 
200 1 # $a Влияние глубоких примесных уровней на некоторые свойства электронно-дырочных переходов в полупроводниках  $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук  $f Ташк. гос. ун-т им. В. И. Ленина 
210 # # $a Ташкент  $d 1962 
215 # # $a 17 с.  $d 21 см 
300 # # $a Библиогр.: с. 17 (19 назв.) 
345 # # $9 250 экз. 
700 # 1 $a Карагеоргий-Алкалаев  $b П. М.  $g Павел Михайлович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070129  $g psbo