Влияние глубоких примесных уровней на некоторые свойства электронно-дырочных переходов в полупроводниках: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Ташк. гос. ун-т им. В. И. Ленина
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Карагеоргий-Алкалаев, П. М. |
Опубликовано: | Ташкент , 1962 |
Физические характеристики: |
17 с. ; 21 см
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr11547700000 | ||
005 | 20070129142847.0 | ||
010 | # | # | $d Б. ц. |
021 | # | # | $a RU $b [62-88865] |
100 | # | # | $a 20070129d1962 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UZ |
200 | 1 | # | $a Влияние глубоких примесных уровней на некоторые свойства электронно-дырочных переходов в полупроводниках $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук $f Ташк. гос. ун-т им. В. И. Ленина |
210 | # | # | $a Ташкент $d 1962 |
215 | # | # | $a 17 с. $d 21 см |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17 (19 назв.) |
345 | # | # | $9 250 экз. |
700 | # | 1 | $a Карагеоргий-Алкалаев $b П. М. $g Павел Михайлович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070129 $g psbo |