Электрические и фотоэлектрические свойства P-N-I-II⁺ структур на основе полуизолирующего CaA: Cr, O: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Камушадзе, Т. Д. |
| Опубликовано: | М. , 1982 |
| Физические характеристики: |
26 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11463450000 | ||
| 005 | 20070129141945.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070129d1982 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства P-N-I-II⁺ структур на основе полуизолирующего CaA: Cr, O $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 26 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с. 24-26. Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Камушадзе $b Т. Д. $g Тенгиз Давидович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070129 $g psbo |