Исследование закономерностей образования электрически и рекомбинационно активных центров в легированных кристаллах n-GaAs: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Камалов, М. Н. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1981 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11433230000 | ||
| 005 | 20070124165720.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [82-4048а] |
| 100 | # | # | $a 20070124d1981 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UZ |
| 200 | 1 | # | $a Исследование закономерностей образования электрически и рекомбинационно активных центров в легированных кристаллах n-GaAs $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Ташкент $d 1981 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН УзССР, Физ.-техн. ии-т им. С. В. Стародубцева |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Камалов $b М. Н. $g Мурат Набиевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070124 $g psbo |