Исследование электрически активных центров в эпитаксиальном P-GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Калухов, В. А. |
| Опубликовано: | Киев , 1987 |
| Физические характеристики: |
13 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||