Исследование электрически активных центров в эпитаксиальном P-GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Калухов, В. А. |
| Опубликовано: | Киев , 1987 |
| Физические характеристики: |
13 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11418200000 | ||
| 005 | 20070124171233.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070124d1987 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Исследование электрически активных центров в эпитаксиальном P-GaAs $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН УССР, Ин-т полупроводников |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 13 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 12-13 (9 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Калухов $b В. А. $g Валерий Амурханович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070124 $g psbo |