Сегнетоэлектрики-полупроводники на основе SbSi в сильных электрических полях: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / Ростов. гос. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Казакова, В. В. |
| Опубликовано: | Ростов н/Д , 1989 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr11293790000 | ||
| 005 | 20070118201256.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070118d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Сегнетоэлектрики-полупроводники на основе SbSi в сильных электрических полях $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.07) $f Ростов. гос. ун-т |
| 210 | # | # | $a Ростов н/Д $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 20-21 (13 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Казакова $b В. В. $g Валерия Вартановна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070118 $g psbo |