Импульсный отжиг в миллисекундном диапазоне полупроводниковых структур на основе кремния: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН КазССР, Ин-т ядер. физики
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Кадыракунов, К. Б. |
Опубликовано: | Алма-Ата , 1986 |
Физические характеристики: |
20 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr11271460000 | ||
005 | 20070118202814.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [86-3433а] |
100 | # | # | $a 20070118d1986 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a KZ |
200 | 1 | # | $a Импульсный отжиг в миллисекундном диапазоне полупроводниковых структур на основе кремния $e (01.04.07) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН КазССР, Ин-т ядер. физики |
210 | # | # | $a Алма-Ата $d 1986 |
215 | # | # | $a 20 с. $c граф. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 15-16 (6 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Кадыракунов $b К. Б. $g Кубаныч Байгазиевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070118 $g psbo |