Фотоэлектрические явления в пленочных фоторезисторных структурах на основе широкозонных полупроводников A²B5 и процессы формирования этих структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УССР, Ин-т полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 36991/87СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Каганович, Э. Б.
Опубликовано: Киев , 1987
Физические характеристики: 28 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr11259910000
005 20220929145910.0
100 # # $a 20070118d1987 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Фотоэлектрические явления в пленочных фоторезисторных структурах на основе широкозонных полупроводников A²B5 и процессы формирования этих структур  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН УССР, Ин-т полупроводников 
210 # # $a Киев  $d 1987 
215 # # $a 28 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 22-28 (60 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Каганович  $b Э. Б.  $g Элла Борисовна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070118  $g psbo