Изучение комплексов точечный дефект-примесный атом (He, Xe) методом каналирования

Сохранено в:
Шифр документа: 103880,
Вид документа: Книги
Автор: Исхаков, К. А.
Опубликовано: Обнинск , 1985
Физические характеристики: 9 с. : рис.
Язык: Русский
Серия: Физ.-энерг. ин-т ФЭИ-1755
Предмет:
00000cam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr11205050000
005 20160523095323.0
010 # # $d 6 к. 
021 # # $a RU  $b [86-15323] 
100 # # $a 20070118d1985 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Изучение комплексов точечный дефект-примесный атом (He, Xe) методом каналирования 
210 # # $a Обнинск  $d 1985 
215 # # $a 9 с.  $c рис. 
225 2 # $a Физ.-энерг. ин-т  $v ФЭИ-1755 
300 # # $a Библиогр.: с. 6-7 (17 назв.) 
345 # # $9 80 экз. 
610 0 # $a Кристаллы - Дефекты 
675 # # $a 539.219.1 
700 # 1 $a Исхаков  $b К. А. 
701 # 1 $a Истомин  $b И. В. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070118  $g psbo