К теории инжекционных токов в полупроводниковых n⁺-n-n⁺-диодных структурах с глубокими примесными центрами: Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Исамухамедова, М. С. |
Опубликовано: | Ташкент , 1979 |
Физические характеристики: |
15 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr11167290000 | ||
005 | 20070115140905.0 | ||
100 | # | # | $a 20070115d1979 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UZ |
200 | 1 | # | $a К теории инжекционных токов в полупроводниковых n⁺-n-n⁺-диодных структурах с глубокими примесными центрами $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
210 | # | # | $a Ташкент $d 1979 |
215 | # | # | $a 15 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: АН УзССР. Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. Библиогр.: с. 14-15 (9 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Исамухамедова $b М. С. $g Мухабат Сабировна |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070115 $g psbo |