Исследование электрических и фотоэлектрических свойств p+-i-p+ и P+-i-M структур на основе кремния, компенсированного марганцем: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / АН УзССР, Ин-т ядер. физики

Сохранено в:
Шифр документа: 109161/90СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Исаев, М. Ш.
Опубликовано: Ташкент , 1990
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr11150220000
005 20240125105509.0
100 # # $a 20070115d1990 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UZ 
200 1 # $a Исследование электрических и фотоэлектрических свойств p+-i-p+ и P+-i-M структур на основе кремния, компенсированного марганцем  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.07)  $f АН УзССР, Ин-т ядер. физики 
210 # # $a Ташкент  $d 1990 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 16 (9 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Исаев  $b М. Ш.  $g Махмудходжа Шарипович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070115  $g psbo