Влияние двухвалентных катионозамещающих примесей на радиационное изменение электропроводности щелочно-галоидных кристаллов: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Иркут. гос. ун-т им. А. А. Жданова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Игнатьева, М. И. |
| Опубликовано: | Томск : Изд-во Томского ун-та , 1965 |
| Физические характеристики: |
13 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr10978070000 | ||
| 005 | 20070109140045.0 | ||
| 021 | # | # | $b [65-14436] |
| 100 | # | # | $a 20070109d1965 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Влияние двухвалентных катионозамещающих примесей на радиационное изменение электропроводности щелочно-галоидных кристаллов $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук $f Иркут. гос. ун-т им. А. А. Жданова |
| 210 | # | # | $a Томск $c Изд-во Томского ун-та $d 1965 |
| 215 | # | # | $a 13 с. |
| 700 | # | 1 | $a Игнатьева $b М. И. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070109 $g psbo |