Исследование процессов роста при молекулярно-пучковой эпитаксии слоев и гетероструктур в системе (AI, Ga) As с целью создания низкопороговых инжекционных гетеролазеров: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 100316/89СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Иванов, С. В.
Опубликовано: Л. , 1989
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr10884450000
005 20070104162658.0
100 # # $a 20070104d1989 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование процессов роста при молекулярно-пучковой эпитаксии слоев и гетероструктур в системе (AI, Ga) As с целью создания низкопороговых инжекционных гетеролазеров  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1989 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 17-18 (11 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Иванов  $b С. В.  $g Сергей Викторович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070104  $g psbo