Исследование глубоких центров в GaAs{н.инд.}(1-x)P{н.инд.}(x) методами нестационарной емкостной спектроскопии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Зубков, В. И. |
Опубликовано: | Л. , 1987 |
Физические характеристики: |
13 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr10738930000 | ||
005 | 20061229153714.0 | ||
100 | # | # | $a 20061229d1987 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование глубоких центров в GaAs{н.инд.}(1-x)P{н.инд.}(x) методами нестационарной емкостной спектроскопии $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина) |
210 | # | # | $a Л. $d 1987 |
215 | # | # | $a 13 с. |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Зубков $b В. И. $g Василий Иванович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20061229 $g psbo |