Исследование глубоких центров в GaAs{н.инд.}(1-x)P{н.инд.}(x) методами нестационарной емкостной спектроскопии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина)

Сохранено в:
Шифр документа: 113085/87,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Зубков, В. И.
Опубликовано: Л. , 1987
Физические характеристики: 13 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr10738930000
005 20061229153714.0
100 # # $a 20061229d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование глубоких центров в GaAs{н.инд.}(1-x)P{н.инд.}(x) методами нестационарной емкостной спектроскопии  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Ленингр. электротехн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина) 
210 # # $a Л.  $d 1987 
215 # # $a 13 с. 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Зубков  $b В. И.  $g Василий Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20061229  $g psbo