
Метод промышленного контроля кремниевых эпитаксиальных структур на основе вольтфарадных измерений: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.01) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Зотов, Л. В. |
Опубликовано: | М. , 1988 |
Физические характеристики: |
17 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr10721890000 | ||
005 | 20061229151519.0 | ||
100 | # | # | $a 20061229d1988 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Метод промышленного контроля кремниевых эпитаксиальных структур на основе вольтфарадных измерений $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.27.01) $f Моск. ин-т электрон. техники |
210 | # | # | $a М. $d 1988 |
215 | # | # | $a 17 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 16-17 (12 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 05.27.01 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Зотов $b Л. В. $g Леонид Витальевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20061229 $g psbo |