Арсенид-галлиевые структуры с Р-N-переходами большой площади для силовых полупроводниковых приборов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Золотаревский, Л. Я. |
| Опубликовано: | Л. , 1985 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||