Арсенид-галлиевые структуры с Р-N-переходами большой площади для силовых полупроводниковых приборов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Золотаревский, Л. Я. |
| Опубликовано: | Л. , 1985 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr10691270000 | ||
| 005 | 20220110141347.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20061229d1965 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Арсенид-галлиевые структуры с Р-N-переходами большой площади для силовых полупроводниковых приборов $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (01.04.10) $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1985 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17-18 (13 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Золотаревский $b Л. Я. $g Леонид Яковлевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20061229 $g psbo |