Исследование особенностей легирования антимонида индия висмутом в условиях получения слоев InSb(Bi) методом жидкофазной эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук: (05.17.16)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Зиновьев, В. Г. |
| Опубликовано: | М. , 1980 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr10647730000 | ||
| 005 | 20090227154038.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20061219d1980 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование особенностей легирования антимонида индия висмутом в условиях получения слоев InSb(Bi) методом жидкофазной эпитаксии $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук $e (05.17.16) |
| 210 | # | # | $a М. $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Моск. ин-т электр. техники. Библиогр.: с. 20-21 (9 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.17.16 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Зиновьев $b В. Г. $g Владимир Георгиевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20061219 $g psbo |