К теории кинетических явлений в сильно легированных полупроводниках: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова. Физ. фак.
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Звягин, И. П. |
| Опубликовано: | М. , 1964 |
| Физические характеристики: |
8 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr10552420000 | ||
| 005 | 20061213155854.0 | ||
| 021 | # | # | $b [64-81489] |
| 100 | # | # | $a 20061213d1964 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a К теории кинетических явлений в сильно легированных полупроводниках $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук $f Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова. Физ. фак. |
| 210 | # | # | $a М. $d 1964 |
| 215 | # | # | $a 8 с. |
| 700 | # | 1 | $a Звягин $b И. П. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20061213 $g psbo |