Исследование и разработка технологии и способов получения подложек и эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов с высоким структурным совершенством: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: (05.17.16) / Моск. ин-т стали и сплавов
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Захаров, Б. Г. |
| Опубликовано: | М. , 1984 |
| Физические характеристики: |
35 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr10496950000 | ||
| 005 | 20061208172034.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20061208d1984 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование и разработка технологии и способов получения подложек и эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов с высоким структурным совершенством $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук $e (05.17.16) $f Моск. ин-т стали и сплавов |
| 210 | # | # | $a М. $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 35 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 31-35 (47 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.17.16 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Захаров $b Б. Г. $g Борис Георгиевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20061208 $g psbo |