Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном р-GaAs с примесными комплексами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Журавлев, К. С. |
| Veröffentlicht: | Новосибирск , 1991 |
| Beschreibung: |
15 с.
|
| Sprache: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||