Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном р-GaAs с примесными комплексами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Журавлев, К. С. |
| Апублікавана: | Новосибирск , 1991 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
15 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||