Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном р-GaAs с примесными комплексами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 173126/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Журавлев, К. С.
Опубликовано: Новосибирск , 1991
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr10272910000
005 20061121162743.0
021 # # $b [91-11766а] 
100 # # $a 20061121d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном р-GaAs с примесными комплексами  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников 
210 # # $a Новосибирск  $d 1991 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 13-15 (7 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Журавлев  $b К. С.  $g Константин Сергеевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20061121  $g psbo