Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном р-GaAs с примесными комплексами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Журавлев, К. С. |
Опубликовано: | Новосибирск , 1991 |
Физические характеристики: |
15 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr10272910000 | ||
005 | 20061121162743.0 | ||
021 | # | # | $b [91-11766а] |
100 | # | # | $a 20061121d1991 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном р-GaAs с примесными комплексами $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников |
210 | # | # | $a Новосибирск $d 1991 |
215 | # | # | $a 15 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 13-15 (7 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Журавлев $b К. С. $g Константин Сергеевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20061121 $g psbo |