Структуры на основе системы GaAs-GaP: газофазная эпитаксия, свойства приборов, электронные явления: Дис. на. соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Жиляев, Ю. В. |
| Опубликовано: | Л. , 1991 |
| Физические характеристики: |
48 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||