Структуры на основе системы GaAs-GaP: газофазная эпитаксия, свойства приборов, электронные явления: Дис. на. соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 139452/91СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Жиляев, Ю. В.
Опубликовано: Л. , 1991
Физические характеристики: 48 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr10164030000
005 20061120182532.0
100 # # $a 20061120d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Структуры на основе системы GaAs-GaP: газофазная эпитаксия, свойства приборов, электронные явления  $e Дис. на. соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.  $e (01.04.10)  $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1991 
215 # # $a 48 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 40-48 (84 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Жиляев  $b Ю. В.  $g Юрий Васильевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20061120  $g psbo