|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br865942 |
005 |
20200910095627.0 |
100 |
# |
# |
$a 20061121d2006 k y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Разработка процесса мос-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников АIII ВV для приборов оптоэлетроники и ИК-техники
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
$e 05.27.06
$f Мармалюк Александр Анатольевич
$g [Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова]
|
210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2006
|
215 |
# |
# |
$a 46 с.
$c ил.
|
300 |
# |
# |
$a Библиография: с. 38-46.
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24592
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39622
$a ЭПИТАКСИЯ (физ.)
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21869
$a ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar27159
$a РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$v 5
$2 rugasnti
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-129197
$a Мармалюк
$b А. А.
$g Александр Анатольевич
$c доктор технических наук
$f род. 1970
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20061121
$g psbo
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20061208
$g psbo
|