|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br863965 |
| 005 |
20070615152750.6 |
| 100 |
# |
# |
$a 20061115d2006 u y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
| 200 |
1 |
# |
$a Переключение и диэлектрическая релаксация в сегнетоэлектрических наноструктурах в форме пленок Ленгмюра-Блоджетт
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.07
$f Иевлев Арсений Сергеевич
$g [Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2006
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c ил.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиография: с. 20-22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar83953
$a КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18306
$a МИКРОСТРУКТУРЫ (физ.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34161
$a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar29520
$a СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar61477
$a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar83954
$a КАНДЭНСАВАНЫ СТАН
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18307
$a МІКРАСТРУКТУРЫ (фіз.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34162
$a ТОНКІЯ ПЛЁНКІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar29521
$a СЕГНЕТАЭЛЕКТРЫКІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar61478
$a ДЫЭЛЕКТРЫЧНЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.33
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.35
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.07
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-127316
$a Иевлев
$b А. С.
$g Арсений Сергеевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20061115
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070103
$g psbo
|
