|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br861492 |
| 005 |
20070615152722.8 |
| 100 |
# |
# |
$a 20061108d2006 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Гетероструктуры с Ge(Si) cамоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на Si(001) подложках и релаксированных SiGe/Si(001) буферных слоях
$e особенности роста и фотолюминесценции
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 05.27.01
$f Шалеев Михаил Владимирович
$g [Институт физики микроструктур РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Нижний Новгород
$d 2006
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 15-18 (32 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24596
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2289608
$a НАНОМАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15092
$a КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24113
$a ПОДЛОЖКИ (электроника)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2185522
$a ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$2 rugasnti
$v 5
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 5
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 5
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 5
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.31.23
$2 rugasnti
$v 5
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-125609
$a Шалеев
$b М. В.
$g Михаил Владимирович
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20061108
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20061208
$g psbo
|
