|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br858907 |
| 005 |
20130830105054.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20061027d2006 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
| 200 |
1 |
# |
$a Дефекты структуры в пленках Cdx Hg1-x Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.07
$f Сабинина Ирина Викторовна
$g [Институт физики полупроводников СО РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2006
|
| 215 |
# |
# |
$a 19 с.
$c ил.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиография: с. 18-19 (19 назв.).
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar23812
$a ПЛЕНОЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39620
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35935
$a ФИЗИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar83953
$a КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar23813
$a ПЛЁНАЧНЫЯ МАТЭРЫЯЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39621
$a ЭПІТАКСІЯЛЬНЫЯ ПЛЁНКІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35936
$a ФІЗІЧНЫЯ ДАСЛЕДАВАННІ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar83954
$a КАНДЭНСАВАНЫ СТАН
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar87382
$a ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.11
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.07
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-123106
$a Сабинина
$b И. В.
$g Ирина Викторовна
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20061027
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20061208
$g psbo
|
