|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br844401 |
| 005 |
20200910095957.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20060913d2006 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In,Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Комков Олег Сергеевич
$g [Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2006
|
| 215 |
# |
# |
$a 14 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиография: с. 13-14.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39622
$a ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2390800
$a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38838
$a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35935
$a ФИЗИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21829
$a ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.23
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-699298
$a Комков
$b О. С.
$g Олег Сергеевич
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060913
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20061210
$g psbo
|
