|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br814275 |
| 005 |
20200910113513.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20060413d2006 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a ru
|
| 105 |
# |
# |
$a y 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
| 200 |
1 |
# |
$a Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Седова Ирина Владимировна
$g Российская академия наук, Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2006
|
| 215 |
# |
# |
$a 17 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиография: с. 15-17.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18306
$a МИКРОСТРУКТУРЫ (физ.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21873
$a ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35933
$a ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24596
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24598
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.33.15
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-349120
$a Седова
$b И. В.
$g Ирина Владимировна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060413
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060901
$g psbo
|
