Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Григорьев Денис Валерьевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2АД155196,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Григорьев, Д. В.
Опубликовано: Томск , 2005
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br804703
005 20200910113335.0
100 # # $a 20060309d2005 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a ru 
105 # # $a a 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e 01.04.10  $f Григорьев Денис Валерьевич  $g [Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете] 
210 # # $a Томск  $d 2005 
215 # # $a 22 с. 
300 # # $a Библиография: с. 20-22. 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12158  $a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2282245  $a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24596  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar35931  $a ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar26909  $a РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.11  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.21  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-670966  $a Григорьев  $b Д. В.  $g Денис Валерьевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060309  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060901  $g psbo