Диэлектрические свойства полупроводников с высокотемпературным прыжковым обменом зарядов: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: защищена 19.11.04: утверждена 20.04.05: 01.04.10 / Партыка Януш

Сохранено в:
Шифр документа: 26АД6268,
Вид документа: Диссертации
Автор: Партыка, Я.
Опубликовано: Минск , 2004
Физические характеристики: 215 л.
Язык: Русский
Предмет:
Е-документ: E-документ
00000cam0a22000004id4500
001 BY-NLB-br779060
005 20230220092642.0
100 # # $a 20051203d2004 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a by 
105 # # $a a 000yy 
106 # # $a h 
109 # # $a aa  $a ab 
200 1 # $a Диэлектрические свойства полупроводников с высокотемпературным прыжковым обменом зарядов  $e диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук  $e защищена 19.11.04  $e утверждена 20.04.05  $e 01.04.10  $f Партыка Януш 
210 # # $a Минск  $d 2004 
215 # # $a 215 л. 
300 # # $a Библиография: л. 202-215 (203 назв.). 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24594  $a ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar61477  $a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar63514  $a ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ НАГРЕВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24595  $a ПАЎПРАВАДНІКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar61478  $a ДЫЭЛЕКТРЫЧНЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar63515  $a ВЫСОКАТЭМПЕРАТУРНЫ НАГРЭЎ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12159  $a ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12158  $a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ  $2 DVNLB 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
675 # # $a 537.311.322(043.3)  $v 3  $z rus 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.21  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 nsnrrb 
700 # 1 $3 BY-SEK-564695  $a Партыка  $b Я.  $g Януш 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20051203  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060901  $g psbo 
856 4 9 $u http://content.nlb.by/content/dav/nlb/DDC/DD/26ad6268.pdf