|
|
|
|
|
00000cam0a22000004id4500 |
001 |
BY-NLB-br779060 |
005 |
20230220092642.0 |
100 |
# |
# |
$a 20051203d2004 u y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a by
|
105 |
# |
# |
$a a 000yy
|
106 |
# |
# |
$a h
|
109 |
# |
# |
$a aa
$a ab
|
200 |
1 |
# |
$a Диэлектрические свойства полупроводников с высокотемпературным прыжковым обменом зарядов
$e диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e защищена 19.11.04
$e утверждена 20.04.05
$e 01.04.10
$f Партыка Януш
|
210 |
# |
# |
$a Минск
$d 2004
|
215 |
# |
# |
$a 215 л.
|
300 |
# |
# |
$a Библиография: л. 202-215 (203 назв.).
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar61477
$a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar63514
$a ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ НАГРЕВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24595
$a ПАЎПРАВАДНІКІ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar61478
$a ДЫЭЛЕКТРЫЧНЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar63515
$a ВЫСОКАТЭМПЕРАТУРНЫ НАГРЭЎ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12159
$a ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
615 |
# |
# |
$a Белорусский национальный документ
|
675 |
# |
# |
$a 537.311.322(043.3)
$v 3
$z rus
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.21
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 nsnrrb
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-564695
$a Партыка
$b Я.
$g Януш
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20051203
$g psbo
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060901
$g psbo
|
856 |
4 |
9 |
$u http://content.nlb.by/content/dav/nlb/DDC/DD/26ad6268.pdf
|