Podobne zapisy

• Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.06 / Ермошин Иван Геннадьевич. - Москва, 2009. - 20 с.
  od: Ермошин, И. Г.
  Wydane: (2009)
• Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и ALGaN из металлорганических соединений и оптимизации роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Заварин Евгений Евгеньевич. - Санкт-Петербург, 2008. - 20 с.
  od: Заварин, Е. Е.
  Wydane: (2008)
• Взаимосвязь механизмов токопротекания, технологических параметров и элетрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN и AIInGaP: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.01 / Кодак Александр Сергеевич. - Москва, 2007. - 24 с.
  od: Кодак, А. С.
  Wydane: (2007)