Podobne zapisy

• Лазеры с оптической накачкой на эпитаксиальных слоях GaN и гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на сапфировых подложках: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: защищена в 2005 г.: утверждена 19.10.05: 01.04.21 / Павловский Вячеслав Николаевич. - Минск, 2005. - 151 л.
  od: Павловский, В. Н.
  Wydane: (2005)
• Оптически накачиваемые лазеры на эпитаксиальных слоях GaN и гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на подложках Si(III): автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.21 / Зубелевич Виталий Зигмундович. - Минск, 2010. - 23 с.
  od: Зубелевич, В. З. (род. 1978)
  Wydane: (2010)
• Оптически накачиваемые лазеры на эпитаксиальных слоях GaN и гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на подложках Si(III): диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.21: защищена 15.06.10: утверждена 29.09.10 / Зубелевич Виталий Зигмундович. - Минск, 2010. - 142 л.
  od: Зубелевич, В. З. (род. 1978)
  Wydane: (2010)