Лазеры с оптической накачкой на эпитаксиальных слоях GaN и гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN на сапфировых подложках: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.21: 00.00.2005 / Павловский Вячеслав Николаевич
Gespeichert in:
Format: | |
---|---|
1. Verfasser: | Павловский, В. Н. |
Veröffentlicht: | Мн. , 2005 |
Beschreibung: |
21 с.
|
Sprache: | Русский |
Schlagworte: | |
Online Zugang: |
E-документ
|
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 2 , доступно: 2 | Verfügbar Bestellen | |||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|