|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-br605594 |
| 005 |
20190426102232.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 4 р. 90 к.
|
| 100 |
# |
# |
$a 20040506d1991 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a by
|
| 105 |
# |
# |
$a a z 000 y
|
| 109 |
# |
# |
$a la
|
| 200 |
1 |
# |
$a Методы определения электрофизических параметров элементов структур МДП-транзисторов
$f И.П.Сальникова, В.М.Ивкин, Н.Е.Скляров
|
| 210 |
# |
# |
$a Мн.
$d 1991
|
| 215 |
# |
# |
$a 49, [2] c.
|
| 225 |
1 |
# |
$a Серия 47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и микросхем
$e Обзор. информ.
$f Белорус. науч
$f исслед. ин-т науч
$f техн. информ. и техн
$f экон. исслед. Госэкономплана БССР
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр. в конце текста (43 назв.).
|
| 345 |
# |
# |
$9 263 экз.
|
| 461 |
# |
0 |
$1 50010
$a Серия 47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и микросхем: Обзор. информ./ Белорус. науч.-исслед. ин-т науч.-техн. информ. и техн.-экон. исслед. Госэкономплана БССР.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2287762
$a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar55300
$a МДП-СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 615 |
# |
# |
$a Белорусский национальный документ
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.382.323(048.8)
$v 4
$z rus
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33
$v 5
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.35.01
$v 5
$2 rugasnti
|
| 701 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-180467
$a Ивкин
$b В. М.
$g Виктор Михайлович
$f род. 1949
|
| 701 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-180468
$a Скляров
$b Н. Е.
$g Николай Егорович
|
| 702 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-180469
$a Сальникова
$b И. П.
$g Ирина Петровна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20040506
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
