Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3 - GaAs и In2Se3 - InAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Татохина Яна Александровна

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад103177,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Татохина, Я. А.
Опубликовано: Воронеж , 2003
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br592635
005 20070615191642.3
100 # # $a 20040331d2003 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a ru 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3 - GaAs и In2Se3 - InAs  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.07  $f Татохина Яна Александровна  $g [Воронеж. гос. технол. акад.] 
210 # # $a Воронеж  $d 2003 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-16 (10 назв.). 
686 # # $a 29.19.03  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.15  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-519831  $a Татохина  $b Я. А.  $g Яна Александровна 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20040331  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo